회사/산업 · 삼성전자 / 공정설계
d1c가 반연에서 양산으로 이제 넘어간다고 하는데, 4F2는 d몇부터 메모리 사업부 양산되는 스킴일까요? 감사합니다.
2024.11.12
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두 개다 렛유인 3개월짜리 장기 교육입니다! 둘 다 이론에서는 비슷하고 프로젝트면에서 하나는 파이썬으로 데이터 다루어보고 공정기술관련 개선하는 여러 프로젝트를 진행합니다 . 또 다른 한가지 교육은 spotifire 와 파이썬 두 개 사용해서 데이터 다루는 프로젝트 하고 품질평가 및 분석 하는 프로젝트 위주로 진행합니다! 공정설계 및 소자 직무에 어떠한 교육이 더 fit할지 여쭈어보고 싶습니다.
안녕하세요 삼성전자 메모리 공정설계 직무에 지원하려 하는데, 제가 아르바이트를 방학때마다 해서 엄청 많습니다. 길게 한 것도 잇고요 길게 한 경험은 적으려고 합니다. 물류창고에서 일한 경험도 일용직이지만 7회 있습니다. 다 적으려고 하니 너무 많은 것 같아서 골라서 적으려고 하는데 두가지 궁금한 점이 있습니다 1. 일일알바 경험 다 적어도 되나요? (물류창고) 2. 제가 휴학을 했는데 휴학 기간동안 총 3가지의 아르바이트를 했습니다 2가지는 2개월동안 동시에 3-4월 했고, 1가지는 5월부터 1월까지 9개월 했습니다 뒷내용은 적으려고 하는데 앞에 2가지를 적어야 하는지 고민입니다 휴학의 공백기를 채운 느낌을 줄 수 있어서 적어야 하는건지 아르바이트를 동시에 진행하긴 했지만 기간이 짧았기에 작성하면 안되는건지 궁금합니다.
안녕하세요. 메모리 소자 전공한 석사 졸예자입니다. 자신만만하게 이번 삼성 메모리 공정설계 서류 썼다가 탈락하여 고민이 많습니다. 연구실 다니면서 IF 19급 1저자 논문 게재 실적에 IF 16급 2저자 논문 게재 실적, 특허 출원 실적, 기타 논문 1저자 투고 실적, 삼성 과제 참여 실적이 있어서 교수님께서도 이정도면 문제없을거라고 하셔 자신감이 있었는데 서류에서 탈락을 하니 뭐가 문제인지 어떤 부분을 보완해야할지 감이 안옵니다. 주변에 메모리 공정설계는 합격한 사람도 안보이고.. 분야를 잘못 골랐나 하는 약한 생각도 계속 듭니다. 현실적으로 이 상황에서 어떤걸 하는게 맞을까요? 약해빠진 푸념 들어주셔서 감사합니다..
두 개다 렛유인 3개월짜리 장기 교육입니다! 둘 다 이론에서는 비슷하고 프로젝트면에서 하나는 파이썬으로 데이터 다루어보고 공정기술관련 개선하는 여러 프로젝트를 진행합니다 . 또 다른 한가지 교육은 spotifire 와 파이썬 두 개 사용해서 데이터 다루는 프로젝트 하고 품질평가 및 분석 하는 프로젝트 위주로 진행합니다! 공정설계 및 소자 직무에 어떠한 교육이 더 fit할지 여쭈어보고 싶습니다.
안녕하세요 삼성전자 메모리 공정설계 직무에 지원하려 하는데, 제가 아르바이트를 방학때마다 해서 엄청 많습니다. 길게 한 것도 잇고요 길게 한 경험은 적으려고 합니다. 물류창고에서 일한 경험도 일용직이지만 7회 있습니다. 다 적으려고 하니 너무 많은 것 같아서 골라서 적으려고 하는데 두가지 궁금한 점이 있습니다 1. 일일알바 경험 다 적어도 되나요? (물류창고) 2. 제가 휴학을 했는데 휴학 기간동안 총 3가지의 아르바이트를 했습니다 2가지는 2개월동안 동시에 3-4월 했고, 1가지는 5월부터 1월까지 9개월 했습니다 뒷내용은 적으려고 하는데 앞에 2가지를 적어야 하는지 고민입니다 휴학의 공백기를 채운 느낌을 줄 수 있어서 적어야 하는건지 아르바이트를 동시에 진행하긴 했지만 기간이 짧았기에 작성하면 안되는건지 궁금합니다.
안녕하세요. 메모리 소자 전공한 석사 졸예자입니다. 자신만만하게 이번 삼성 메모리 공정설계 서류 썼다가 탈락하여 고민이 많습니다. 연구실 다니면서 IF 19급 1저자 논문 게재 실적에 IF 16급 2저자 논문 게재 실적, 특허 출원 실적, 기타 논문 1저자 투고 실적, 삼성 과제 참여 실적이 있어서 교수님께서도 이정도면 문제없을거라고 하셔 자신감이 있었는데 서류에서 탈락을 하니 뭐가 문제인지 어떤 부분을 보완해야할지 감이 안옵니다. 주변에 메모리 공정설계는 합격한 사람도 안보이고.. 분야를 잘못 골랐나 하는 약한 생각도 계속 듭니다. 현실적으로 이 상황에서 어떤걸 하는게 맞을까요? 약해빠진 푸념 들어주셔서 감사합니다..
답변 5
채택된 답변지원자님, 반갑습니다~! DRAM 기술 스킴 관련해서 궁금하신 부분이 있으시군요! 현재 D1C가 반연구에서 양산 단계로 넘어가고 있는 상황에서, 삼성전자의 DRAM 공정 로드맵이 계속 발전 중인 건 맞아요~ 4F² 셀 구조가 메모리 사업부에서 실제 양산되는 시점을 놓고 본다면, D1D부터 본격적으로 적용될 가능성이 높다고 볼 수 있어요. D1C는 기존 6F² 셀 구조를 고도화하고 미세 공정 기술을 더욱 정교하게 다듬는 단계라서, 4F²의 셀 사이즈 축소와 같은 새로운 셀 구조의 도입은 다음 세대인 D1D부터 양산에 적용될 것으로 예상됩니다. 물론, 정확한 시점과 적용 범위는 삼성의 기술 개발 속도와 시장 상황에 따라 달라질 수 있기 때문에, 삼성전자가 발표하는 최신 로드맵이나 기술 컨퍼런스를 참고하는 것도 좋은 방법이에요~ 조금 더 구체적인 정보를 원하신다면, 내부 자료나 공식 발표 자료를 면밀히 살펴보시는 게 정확할 거예요! 하지만 현재 기술 트렌드로 보아 D1D 이후의 세대에서 4F² 셀 구조가 본격적으로 도입될 것으로 보이니, 준비하시는 면접이나 직무 이해에도 큰 도움이 되리라 생각합니다~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다! ~~
